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男，研究员、博导，电话 023-65935797

电子邮件 shenjun@cigit.ac.cn 通讯地址 重庆市北碚区方正大道266号

个人简介：

2006年本科毕业于北京师范大学物理学系，北京市优秀毕业生；2011年底博士毕业于北京大学电子学系。2012年1月至2015年3月在中国电子科技集团公司模拟与混合集成电路国防重点实验室开展超大规模集成电路工艺整合工作，任SiGe团队负责人，曾于2012年和2014年赴英国Plessy Semiconductors公司和法国ST Microeletronics进行SiGe BiCMOS工艺访问。2015年3月加入中国科学院重庆院。在国际主流学术期刊发表学术论文30余篇，授权发明专利22项，主要研究方向为集成电路工艺及碳基电子和光电成像器件。主持国家自然科学基金、国家重点项目、重庆市自然科学基金重点项目、重庆市产业示范重点项目等。

研究方向：焦平面红外探测器件及成像系统

招生专业：光学工程

获奖及荣誉： 2021年度中国化工学会科学技术一等奖，排名第6

代表性论文和论著

（论文/著作名称、发表刊物/出版单位名称、发表年份、本人排名）

[1] Dual-Color Photodetection Based on Speed-Differentiated Photoresponse with High Photogain. Acs Photonics, 2021, 通讯作者.

[2] High-performance mid-infrared photodetection based on Bi2Se3 maze and free-standing nanoplates. Nanotechnology, 2021, 通讯作者.

[3] High-performance broadband photodetector with in-situ-grown Bi2Se3 film on micropyramidal Si substrate. Optical Materials, 2021, 通讯作者.

[4] Broadband photodetector based on 2D layered PtSe2/silicon heterojunction at room-temperature. Physica E, 2020, 通讯作者.

[5] Broadband InSb/Si heterojunction photodetector with graphene transparent electrode. Nanotechnology, 2020, 通讯作者.

[6] Fabrication of hybrid graphene/CdS quantum dots film with the flexible photo-detecting performance. Physica E, 2020, 通讯作者.

[7] Hybrid graphene heterojunction photodetector with high infrared responsivity through barrier tailoring. Nanotechnology, 2019, 第一作者.

[8] Infrared Photodetector Based on the Photothermionic Effect of Graphene-Nanowall/Silicon Heterojunction. Acs Applied Materials & Interfaces, 2019, 通讯作者.

[9] High-performance solar-blind photodetector with graphene and nitrogen-doped reduced graphene oxide quantum dots (rGOQDs). Materials Express, 2018, 通讯作者.

[10] High-performance Schottky heterojunction photodetector with directly grown graphene nanowalls as electrodes. Nanoscale, 2017, 第一作者.

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